وكالات
طوّرت شركة آي بي أم بالتعاون مع شركتي غلوبال فاوندريز وسامسونغ عملية تصنيع ترانزستورات من شأنها إفساح المجال أمام رقاقات بدقة خمسة نانومترات.
وفي حين أن الفريق خرط (etched) الرقاقة باستخدام تقنية الحفر الحجري بالأشعة فوق البنفسجية الفائقة (EUV) ذاتها المستخدمة في رقاقات بدقة سبعة نانومترات، لكنهم تخلوا عن تصميم الترانزستور وفق تقنية “فين فت” (FinFET) الشائعة لصالح تكديس صفائح النانو السليكونية.
وجعل هذا التحول من الممكن صقل دارات فردية لتحقيق أقصى قدر من أدائها مع تكدسها في حيز صغير جدا.
وبعملية تصنيع بدقة خمسة نانومترات، يقول الفريق إن بإمكانهم تكديس ثلاثين مليار ترانزستور في رقاقة بحجم ظفر الأصبع، وهو رقم جيد مقارنة بعملية التصنيع بدقة سبعة نانومترات قبل عامين عندما تم وضع عشرين مليار ترانزستور على رقاقة بالقياس نفسه.
وترى “آي بي أم” أن هذه التقنية تساعد جهودها في مجال الحوسبة المعرفية وكذلك إنترنت الأشياء وغيرها من المهام ذات الاستخدام الكثيف للبيانات.
كما ترسم الشركة مستقبلا زاهرا لمستقبل الهواتف المتنقلة، حيث تتصور بأن الهواتف ستمتلك عمر بطارية يزيد بضعفين إلى ثلاثة أضعاف عن الأجهزة الحالية.
لكن لا يجب توقع ظهور أجهزة بهذه الدقة الجديدة في أي وقت قريب حاليا، وذلك أن الأجهزة التي تستخدم رقاقات مصنعة بدقة سبعة نانومترات لم تُطرح بعد في الأسواق، ولا يُتوقع وصولها حتى عام 2018 على أقل تقدير.
لكن مع ذلك فإن معرفة أن هذه التقنية في طريقها إلى الأجهزة أمر مهم، حيث لن يتوجب على مصنعي الرقائق إعادة اختراع الدولاب للحصول على أداء أفضل، كما لن يضطر المستخدمون للقلق بشأن زيادة أداء الجهاز لبضع سنوات على الأقل.
اترك تعليقاً